অৰ্ধপৰিবাহী ফেব লাইভ মডেল

তুমি 300 mm ৱেফাৰ ফেবৰ লিথগ্ৰাফী বে চলোৱা — আঠটা স্কেনাৰ, এটা ক্লীনৰুম আৰু নিৰ্দিষ্টকৰণৰ ভিতৰত থাকিব লগা এটা ৰেচিপি। ৱেফাৰ শাৰী পাতে, সঁজুলি ভাগে, কণা সোমায় আৰু প্ৰতিটো সিদ্ধান্তৰ সৈতে ফলন সলনি হয়।

তুমি কি শিকিবা

চিমুলেটৰ

সময় 0 h
সঁজুলিৰ উপলব্ধতা 100% · প্ৰক্ৰিয়াধীন কাম 20 · ক্লীনৰুম ISO শ্ৰেণী 3.4S1⚙S2▶S3▶S4▶S5▶S6▶S7‖S8‖WIP 20▶ 34 wph
  • উৎপাদনশীল
  • ষ্টেণ্ডবাই
  • ইঞ্জিনীয়াৰিং
  • বন্ধ (মেৰামতি)
  • বতাহত ভাহি থকা কণা

নিয়ন্ত্ৰণ

প্ৰতি ঘণ্টাত বেলৈ মুকলি কৰা ৱেফাৰ।

প্ৰক্ৰিয়াটো শিকোৱা পৰীক্ষামূলক ৱেফাৰ লটক দিয়া স্কেনাৰ সময়ৰ অংশ: এতিয়া কম উৎপাদন, পিছত কম ত্ৰুটি।

প্ৰতিজন কাৰিকৰে এক সময়ত এটা সঁজুলি মেৰামতি কৰে।

অধিক বতাহ সলনিয়ে কণা পাতল কৰে; পাখাৰ শক্তি গতিৰ ঘনৰ সৈতে বাঢ়ে।

পোছাক পিন্ধা প্ৰতিজন মানুহেও কণা নিৰ্গত কৰে।

প্ৰতি ঘণ্টাত জখা ৱেফাৰ: তীক্ষ্ণ SPC চাৰ্ট, অলপ কম সামৰ্থ্য।

3 h লাগে আৰু তেওঁলোকে কাম কৰাৰ সময়ত কোঠাত 2 জন অতিৰিক্ত মানুহ যোগ কৰে।

আধা সামৰ্থ্যত 2 h, তাৰ পিছত প্ৰক্ৰিয়া লক্ষ্যলৈ ঘূৰি আহে।

সূচক

ওলোৱা ভাল ডাই
19547/h
ফলন
89.8%
স্বাভাৱিক
ক্লীনৰুম ISO শ্ৰেণী
3.4
স্বাভাৱিক
বে চক্ৰৰ সময়
1.6h
স্বাভাৱিক
সঁজুলিৰ উপলব্ধতা100 %
সঁজুলিৰ ব্যৱহাৰ71 %
ইঞ্জিনীয়াৰিং সময়10 %
মুকলি কৰা ৱেফাৰ আৰম্ভ34 wph
প্ৰক্ৰিয়াধীন কাম20 wafers
ত্ৰুটিৰ ঘনত্ব0.110 /cm²
প্ৰক্ৰিয়া সামৰ্থ্য Cpk1.25 · সতৰ্কবাণী
নিৰ্দিষ্টকৰণৰ বাহিৰ (ৱেফাৰ-সমতুল্য)0.0 wph
বে বিদ্যুৎ1339 kW

প্ৰৱণতা

ওলোৱা ভাল ডাই: — /h250000

SPC নমুনা (CD বিচ্যুতি)

SPC নমুনা (CD বিচ্যুতি): 0 ⚑+3σ−3σ

সংকট পৰিস্থিতি

স্তৰ 1 · কণাৰ বিচ্যুতি

মবাইল-চিপ লাইনত এটা নিয়মীয়া শিফ্ট। বেৰ ওপৰত কতো এটা চিলিং ফিল্টাৰ বিফল হ'বলৈ ওলাইছে। ক্লীনৰুম শ্ৰেণীৰ ভিতৰত ৰাখা, ফলন সুৰক্ষিত কৰা — আৰু পাখা প্ৰয়োজনতকৈ বেছি সময় পূৰ্ণ গতিত নৰখা।

  • শেষত ISO শ্ৰেণী ≤ 3.6 লৈ ঘূৰিল
  • প্ৰথম ঘণ্টাৰ পিছত কেতিয়াও 4.55 শ্ৰেণীৰ ওপৰত নহয়
  • বিচ্যুতিৰ প্ৰথম ঘণ্টাকেইটাত গড় ফলন ≥ 87 %
  • দ্বিতীয়াৰ্ধত গড় বে বিদ্যুৎ ≤ 1,380 kW

স্তৰ 2 · স্কেনাৰ বিকল

বে প্ৰতি ঘণ্টাত 38 ৱেফাৰ আৰম্ভত গৰমকৈ চলে। তিনিটা স্কেনাৰ একে সময়তে বন্ধ হ'বলৈ ওলাইছে। সেইবোৰ ঘূৰাই অনাৰ সময়ত শাৰী বিস্ফোৰিত হোৱাত বাধা দিয়া, আৰু তথাপি ভাল ডাই পঠিওৱা।

  • শেষত WIP ≤ 60 ৱেফাৰ
  • বিকলৰ পিছত চক্ৰৰ সময় কেতিয়াও 3.5 h ৰ ওপৰলৈ নাযায় (কিউ-টাইম উইণ্ড')
  • 48 h ত অন্তত 900,000 ভাল ডাই
  • 48 h ত অন্তত 1,600 ৱেফাৰ আৰম্ভ মুকলি কৰা (আৰম্ভৰ পৰিকল্পনা: প্ৰতি ঘণ্টাত 34)

স্তৰ 3 · ৰেচিপি বিচ্যুতি

এটা নতুন ৰেচিপি সংশোধন কালি ৰাতি লাইভ হৈছে। ই লাহে লাহে ক্ৰিটিকেল ডাইমেনচন সলনি কৰে সেয়া এতিয়াও কোনেও নাজানে। SPC চাৰ্ট চোৱা: ৱেফাৰ নিৰ্দিষ্টকৰণৰ বাহিৰ হোৱাৰ আগতে বিচ্যুতি ধৰি ৰোলবেক কৰা।

  • মুঠতে সৰ্বাধিক 12 নিৰ্দিষ্টকৰণৰ বাহিৰৰ ৱেফাৰ-সমতুল্য
  • শেষত Cpk ≥ 1.2
  • অন্তত 620,000 ভাল ডাই

স্তৰ 2 · নতুন সামগ্ৰীৰ ৰেম্প

এটা ডাঙৰ এক্সেলাৰেটৰ চিপ এটা অপৰিপক্ক প্ৰক্ৰিয়াৰে উৎপাদনত সোমায়: ত্ৰুটিৰ ঘনত্ব বেছি আৰু 600 mm² ডাই ক্ষমাহীন। লাইন প্ৰতি ঘণ্টাত 42 ৱেফাৰ আৰম্ভত লোড কৰা হৈছে। তোমাৰ 14 দিন আছে। আজিৰ উৎপাদন আৰু কালিৰ বাবে শিকনৰ মাজত ভাৰসাম্য ৰক্ষা কৰা।

  • 14 তম দিনত ত্ৰুটিৰ ঘনত্ব ≤ 0.08 /cm²
  • 14 দিনত অন্তত 660,000 ভাল ডাই

ভিত্তি — সংখ্যাৰ আঁৰৰ মডেল

চিমুলেটৰে ব্যৱহাৰ কৰা প্ৰতিটো সম্পৰ্ক, ইয়াৰ উৎসৰ সৈতে। অনুমান হিচাপে চিহ্নিত ধ্ৰুৱক দৃষ্টান্তমূলক কেলিব্ৰেচন।

সৰঞ্জামৰ অৱস্থা SEMI E10 অনুসৰণ কৰে: উৎপাদনশীল, ষ্টেণ্ডবাই, ইঞ্জিনীয়াৰিং, নিৰ্ধাৰিত আৰু অনিৰ্ধাৰিত বন্ধ।
Availability = up tools / 8 · Utilization = productive tool-hours / total[1]
সঁজুলি ঘাতাংকীয় বিফলতা-সময়েৰে যাদৃচ্ছিকভাৱে বিফল হয়; মেৰামতি মুক্ত কাৰিকৰৰ বাবে অপেক্ষা কৰে।
P(fail in Δt) = 1 − e^(−Δt/MTBF), MTBF = 250 h; repair ~ Exp(mean 6 h) once a technician is free[17][1]অনুমান: পৰিমাণ (MTBF, উৎপাদনৰ হাৰ, k, τ) দৃষ্টান্তমূলক কেলিব্ৰেচন, প্ৰকৃত ফেবৰ তথ্য নহয়।
লিটলৰ সূত্ৰই প্ৰক্ৰিয়াধীন কাম, থ্ৰুপুট আৰু চক্ৰৰ সময় সংযোগ কৰে।
CT = WIP / TH = T0 + queue / TH, T0 = 1 h[6][5]
এটা স্থিৰ লাইনত থ্ৰুপুট মুকলি কৰাৰ হাৰৰ সমান, সেয়ে মুকলি নকৰা ৱেফাৰ আৰম্ভ এনে এখন ৱেফাৰ যি কেতিয়াও ওলাই নাহে। পদক্ষেপৰ মাজত অতি দীঘল সময় অপেক্ষা কৰা ৱেফাৰে কিউ-টাইম উইণ্ড' ভংগ কৰে।
TH = release rate while u < 1 ⇒ wafers out ≈ Σ starts; queue wait = CT − T0 = queue / TH ≤ queue-time window (3.5 h CT in semi-tool-crash)[5][16]অনুমান: 3.5 h চক্ৰ-সময়ৰ সীমাই কিউ-টাইম উইণ্ড'ৰ প্ৰতিনিধিত্ব কৰে; প্ৰকৃত উইণ্ড' প্ৰক্ৰিয়া ইঞ্জিনীয়াৰিঙে পদক্ষেপে পদক্ষেপে নিৰ্ধাৰণ কৰে, আৰু সেইবোৰ ভংগ কৰা ৱেফাৰ সাধাৰণতে বাতিল কৰা হয়।
কিংমানৰ আসন্নীকৰণ: শাৰীৰ সময় u/(1−u) ৰ দৰে বাঢ়ে — ব্যৱহাৰ 100 % ৰ ওচৰ চাপিলে ই বিস্ফোৰিত হয়।
CTq ≈ ((ca² + ce²)/2) · (u/(1−u)) · te[5]বুজিবলৈ দেখুওৱা হৈছে: চিমুলেটৰৰ শাৰী এই সূত্ৰৰ পৰা নহয়, যাদৃচ্ছিক আগমন আৰু যাদৃচ্ছিক সামৰ্থ্যৰ পৰা উদ্ভৱ হয়।
D আকাৰৰ কণাৰ বাবে ISO 14644-1 শ্ৰেণী সীমা; 0.1 µm ত শ্ৰেণী হ'ল ঘনত্বৰ লগাৰিদম।
Cn = 10^N · (0.1/D)^2.08 ⇒ N = log10(C≥0.1µm)[2]
ভালকৈ মিহলোৱা কোঠা: ঘনত্ব = উৎপাদন ÷ (বতাহ সলনি × আয়তন × ফিল্টাৰ দক্ষতা)।
C = G / (ACH · V · η)[13][11]অনুমান: পৰিমাণ (MTBF, উৎপাদনৰ হাৰ, k, τ) দৃষ্টান্তমূলক কেলিব্ৰেচন, প্ৰকৃত ফেবৰ তথ্য নহয়।
পাখাৰ সম্বন্ধ সূত্ৰ: শক্তি পাখাৰ গতিৰ ঘনৰ সৈতে বাঢ়ে।
P_fan = P_max · (speed)³[10]
ঋণাত্মক-দ্বিপদী ফলন: ত্ৰুটি গোট খায়, সেয়ে পইছন মডেলে ভৱিষ্যদ্বাণী কৰাতকৈ ফলন লাহে লাহে কমে।
Y = (1 + A·D/α)^(−α), α = 2 (α→∞: Y = e^(−A·D))[3][4][15][14]
ফলনৰ শিকন: ইঞ্জিনীয়াৰিং সময় খৰচ হ'লে ত্ৰুটিৰ ঘনত্ব পৰিপক্ক স্তৰলৈ হ্ৰাস পায়।
D(t+Δt) = D∞ + (D − D∞)·e^(−Δt/τ), τ = 120 h · (0.10 / engineering share)[15][18]অনুমান: τ প্ৰতিবেদিত উদ্যোগৰ শিকনৰ হাৰ (প্ৰতি মাহত 4–6.5 %, Leachman) তকৈ প্ৰায় 100× সময়-সংকুচিত, যাতে 14 দিনীয়া পৰিস্থিতিয়ে প্ৰভাৱ দেখুৱাব পাৰে।
ৱেফাৰত পৰা কণাই বতাহৰ ঘনত্বৰ অনুপাতে মাৰাত্মক ত্ৰুটি যোগ কৰে।
D_total = D_learn + k · C, k = 4·10⁻⁶ cm⁻² per particle/m³অনুমান: এটা দৃষ্টান্তমূলক ধ্ৰুৱক — প্ৰকৃত ফেবে নিজৰ নিৰীক্ষণ তথ্যৰ পৰা মাৰাত্মক-ত্ৰুটিৰ হাৰ কেলিব্ৰেট কৰে।
পাৰামেট্ৰিক ফলন: এটা স্বাভাৱিক প্ৰক্ৰিয়াৰ নিৰ্দিষ্টকৰণ সীমাৰ ভিতৰত পৰা অংশ; Cpk য়ে মাৰ্জিন জোখে।
Y_param = Φ((USL−μ)/σ) − Φ((LSL−μ)/σ), Cpk = min(USL−μ, μ−LSL)/(3σ)[7][8][19]
SPC: n টা নমুনাৰ গড়, ±3σ/√n নিয়ন্ত্ৰণ সীমা আৰু জোন নিয়মৰ সৈতে।
x̄ ~ N(μ, σ/√n), control limits ±3σ/√n; zone rules (2 of 3 beyond 2σ, 4 of 5 beyond 1σ, 8 on one side)[8][7][12]
মডেলে ব্যৱহাৰ কৰা অন্যান্য কাৰ্যকৰী ধ্ৰুৱক।
8 scanners × 6 wafer-starts/h · metrology −0.5 % capacity per sampled wafer/h · rollback: 2 h at half capacity + 4 wafer-equivalents reworked · drift 0.25 nm/h · crash repair 18 technician-hours · leak crew +2 people for 3 h · tools 150 kW busy / 60 kW idle, fans 150 kW at 100 %অনুমান: পৰিমাণ (MTBF, উৎপাদনৰ হাৰ, k, τ) দৃষ্টান্তমূলক কেলিব্ৰেচন, প্ৰকৃত ফেবৰ তথ্য নহয়।
A ক্ষেত্ৰফলৰ ডাইৰ বাবে প্ৰতি 300 mm ৱেফাৰত মুঠ ডাই।
DPW = π·d²/(4A) − π·d/√(2A), d = 300 mm[9]

যাদৃচ্ছিকতা: এটা বীজযুক্ত mulberry32 জেনেৰেটৰ; ব্যৱহৃত বিতৰণ — সমান, ঘাতাংকীয় (ব্যস্ত CDF), স্বাভাৱিক (Box–Muller), পইছন (Knuth)। বীজ দেখুওৱা হয় আৰু শ্বেয়াৰ কৰিব পাৰি।

উৎস

  1. SEMI E10 — Specification for Definition and Measurement of Equipment Reliability, Availability, and Maintainability (RAM) and Utilization — SEMI
  2. ISO 14644-1:2015 Cleanrooms and associated controlled environments — Part 1: Classification of air cleanliness by particle concentration — ISO, 2015
  3. C. H. Stapper, F. M. Armstrong, K. Saji — Integrated circuit yield statistics — Proceedings of the IEEE 71(4), 1983
  4. J. A. Cunningham — The use and evaluation of yield models in integrated circuit manufacturing — IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing 3(2), 1990
  5. W. J. Hopp, M. L. Spearman — Factory Physics (3rd ed.), ch. 7–8: Little’s law, Kingman (VUT) equation — Waveland Press, 2008
  6. J. D. C. Little — A Proof for the Queuing Formula L = λW — Operations Research 9(3), 1961
  7. D. C. Montgomery — Introduction to Statistical Quality Control (x̄ charts, process capability Cpk) — Wiley, 2019
  8. NIST/SEMATECH e-Handbook of Statistical Methods — 6.3 Univariate and Multivariate Control Charts; 6.1.6 Process capability — NIST
  9. Dies-per-wafer estimate DPW = πd²/(4S) − πd/√(2S) (de Vries, “Investigation of gross die per wafer formulas”, IEEE TSM 18(1)) — IEEE, 2005
  10. Fan affinity laws: flow ∝ speed, pressure ∝ speed², power ∝ speed³ — U.S. DOE — Improving Fan System Performance: A Sourcebook for Industry
  11. EN 1822-1:2019 High efficiency air filters (EPA, HEPA and ULPA) — classification (U15 ≥ 99.9995 % at MPPS) — CEN, 2019
  12. Western Electric Statistical Quality Control Handbook (1956) — zone rules for control charts — Western Electric / NIST e-Handbook 6.3.2
  13. W. Whyte — Cleanroom Technology: Fundamentals of Design, Testing and Operation (2nd ed.), ch. on dispersion of particles from people; well-mixed room dilution equation — Wiley, 2010
  14. Yu. I. Bogdanov, N. A. Bogdanova, V. L. Dshkhunyan — Statistical Yield Modeling for IC Manufacture: Hierarchical Fault Distributions (§2 Compound Poisson distribution, after Eq. (17), p. 4 of the arXiv PDF — large-area clustering negative binomial model: the cluster parameter’s “typical values approximately range from 0.3 to 7”) — arXiv physics/0303039, 2003
  15. R. C. Leachman — Yield Modeling and Analysis (Poisson, Murphy, Seeds, negative-binomial models; §8: SMLY survey with C. N. Berglund for International SEMATECH, 2002–03 — yield loss fitted as YL(t) = YL(0)·e^(−λt), Table 2 averages 4.4 / 4.0 / 6.5 %/month at 350 / 250 / 180 nm) — UC Berkeley, IEOR 130 course notes (unpublished), 2014
  16. A. Klemmt, L. Mönch — Scheduling jobs with time constraints between consecutive process steps in semiconductor manufacturing (time windows set by process engineering against native oxidation and contamination; jobs that violate them are scrapped) — Proceedings of the 2012 Winter Simulation Conference, 2012
  17. NIST/SEMATECH e-Handbook of Statistical Methods — 8.1.6.1 Exponential distribution (constant failure rate) — NIST
  18. C. Weber — Yield learning and the sources of profitability in semiconductor manufacturing and process development — IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing 17(4), 2004
  19. M. Abramowitz, I. Stegun — Handbook of Mathematical Functions, 26.2.17 — NBS, 1964

ইয়াক জীৱিকা হিচাপে কোনে কৰে

শিক্ষামূলক মডেল — কাৰ্যকৰী সিদ্ধান্তৰ বাবে নহয়। প্ৰকৃত স্থানবোৰে প্ৰতিটো ধ্ৰুৱক নিজৰ সৰঞ্জাম আৰু তথ্য অনুসৰি কেলিব্ৰেট কৰে।