💠 সেমিকন্ডাক্টর ফ্যাব লাইভ মডেল

ভিত্তি — সংখ্যার পেছনের মডেল

সিমুলেটরের ব্যবহৃত প্রতিটি সম্পর্ক, তার উৎসসহ। অনুমান হিসেবে চিহ্নিত ধ্রুবকগুলো দৃষ্টান্তমূলক ক্যালিব্রেশন।

যন্ত্রের অবস্থা SEMI E10 অনুসরণ করে: উৎপাদনশীল, স্ট্যান্ডবাই, প্রকৌশল, নির্ধারিত ও অনির্ধারিত বন্ধ।

Availability = up tools / 8 · Utilization = productive tool-hours / total[1]

যন্ত্র সূচকীয় বিকলতা-পূর্ব সময় মেনে এলোমেলোভাবে বিকল হয়; মেরামত ফাঁকা টেকনিশিয়ানের অপেক্ষায় থাকে।

P(fail in Δt) = 1 − e^(−Δt/MTBF), MTBF = 250 h; repair ~ Exp(mean 6 h) once a technician is free[17][1]অনুমান: মাত্রাগুলো (MTBF, উৎপাদন হার, k, τ) দৃষ্টান্তমূলক ক্যালিব্রেশন, বাস্তব ফ্যাবের তথ্য নয়।

লিটলের সূত্র প্রক্রিয়াধীন কাজ, থ্রুপুট ও চক্রকালকে যুক্ত করে।

CT = WIP / TH = T0 + queue / TH, T0 = 1 h[6][5]

স্থিতিশীল লাইনে থ্রুপুট রিলিজের হারের সমান, তাই যে ওয়েফার স্টার্ট রিলিজ হয় না সেটি এমন ওয়েফার যা কখনো বেরোয় না। ধাপগুলোর মাঝে খুব বেশিক্ষণ অপেক্ষা করা ওয়েফার কিউ-টাইম উইন্ডো ভাঙে।

TH = release rate while u < 1 ⇒ wafers out ≈ Σ starts; queue wait = CT − T0 = queue / TH ≤ queue-time window (3.5 h CT in semi-tool-crash)[5][16]অনুমান: 3.5 ঘণ্টার চক্রকাল-সীমা একটি কিউ-টাইম উইন্ডোর প্রতিনিধি; বাস্তব উইন্ডো প্রসেস ইঞ্জিনিয়ারিং ধাপে ধাপে নির্ধারণ করে, আর যে ওয়েফার তা ভাঙে সেগুলো সাধারণত বাতিল করা হয়।

কিংম্যানের আসন্নকরণ: সারির সময় u/(1−u)-এর মতো বাড়ে — ব্যবহার ১০০ %-এর কাছে গেলে তা বিস্ফোরিত হয়।

CTq ≈ ((ca² + ce²)/2) · (u/(1−u)) · te[5]অন্তর্দৃষ্টির জন্য দেখানো: সিমুলেটরের সারি এই সূত্র থেকে নয়, এলোমেলো আগমন ও এলোমেলো সক্ষমতা থেকে উদ্ভূত হয়।

D আকারের কণার জন্য ISO 14644-1 শ্রেণির সীমা; ০.১ µm-এ শ্রেণি হলো ঘনত্বের লগারিদম।

Cn = 10^N · (0.1/D)^2.08 ⇒ N = log10(C≥0.1µm)[2]

ভালোভাবে মেশানো ঘর: ঘনত্ব = উৎপাদন ÷ (বায়ু-পরিবর্তন × আয়তন × ফিল্টার দক্ষতা)।

C = G / (ACH · V · η)[13][11]অনুমান: মাত্রাগুলো (MTBF, উৎপাদন হার, k, τ) দৃষ্টান্তমূলক ক্যালিব্রেশন, বাস্তব ফ্যাবের তথ্য নয়।

ফ্যান অ্যাফিনিটি সূত্র: পাওয়ার ফ্যানের গতির ঘনের সঙ্গে বাড়ে।

P_fan = P_max · (speed)³[10]

ঋণাত্মক-দ্বিপদ ইল্ড: ত্রুটি গুচ্ছবদ্ধ হয়, তাই ইল্ড পয়সঁ মডেলের পূর্বাভাসের চেয়ে ধীরে কমে।

Y = (1 + A·D/α)^(−α), α = 2 (α→∞: Y = e^(−A·D))[3][4][15][14]

ইল্ড লার্নিং: প্রকৌশল সময় ব্যয় হলে ত্রুটির ঘনত্ব পরিণত স্তরের দিকে কমে।

D(t+Δt) = D∞ + (D − D∞)·e^(−Δt/τ), τ = 120 h · (0.10 / engineering share)[15][18]অনুমান: τ শিল্পের জানানো শেখার হারের (প্রতি মাসে ৪–৬.৫ %, Leachman) তুলনায় প্রায় ১০০ গুণ সময়-সংকুচিত, যাতে ১৪ দিনের দৃশ্যকল্পে প্রভাবটি দেখা যায়।

ওয়েফারে পড়া কণা বাতাসের ঘনত্বের অনুপাতে মারাত্মক ত্রুটি যোগ করে।

D_total = D_learn + k · C, k = 4·10⁻⁶ cm⁻² per particle/m³অনুমান: একটি দৃষ্টান্তমূলক ধ্রুবক — বাস্তব ফ্যাব নিজেদের পরিদর্শন-তথ্য থেকে মারাত্মক-ত্রুটির হার ক্যালিব্রেট করে।

প্যারামেট্রিক ইল্ড: একটি স্বাভাবিক প্রক্রিয়ার যে অংশ স্পেসিফিকেশন সীমার ভেতরে পড়ে; Cpk মার্জিন মাপে।

Y_param = Φ((USL−μ)/σ) − Φ((LSL−μ)/σ), Cpk = min(USL−μ, μ−LSL)/(3σ)[7][8][19]

SPC: n নমুনার গড়, ±৩σ/√n নিয়ন্ত্রণ সীমা ও জোন নিয়মসহ।

x̄ ~ N(μ, σ/√n), control limits ±3σ/√n; zone rules (2 of 3 beyond 2σ, 4 of 5 beyond 1σ, 8 on one side)[8][7][12]

মডেলের ব্যবহৃত অন্যান্য পরিচালন ধ্রুবক।

8 scanners × 6 wafer-starts/h · metrology −0.5 % capacity per sampled wafer/h · rollback: 2 h at half capacity + 4 wafer-equivalents reworked · drift 0.25 nm/h · crash repair 18 technician-hours · leak crew +2 people for 3 h · tools 150 kW busy / 60 kW idle, fans 150 kW at 100 %অনুমান: মাত্রাগুলো (MTBF, উৎপাদন হার, k, τ) দৃষ্টান্তমূলক ক্যালিব্রেশন, বাস্তব ফ্যাবের তথ্য নয়।

A ক্ষেত্রফলের ডাই-এর জন্য প্রতি ৩০০ mm ওয়েফারে মোট ডাই।

DPW = π·d²/(4A) − π·d/√(2A), d = 300 mm[9]

এলোমেলোতা: সিডযুক্ত mulberry32 জেনারেটর; ব্যবহৃত বণ্টন — সুষম, সূচকীয় (বিপরীত CDF), স্বাভাবিক (Box–Muller), পয়সঁ (Knuth)। সিড দেখানো হয় এবং শেয়ার করা যায়।

উৎস

1. SEMI E10 — Specification for Definition and Measurement of Equipment Reliability, Availability, and Maintainability (RAM) and Utilization — SEMI
2. ISO 14644-1:2015 Cleanrooms and associated controlled environments — Part 1: Classification of air cleanliness by particle concentration — ISO, 2015
3. C. H. Stapper, F. M. Armstrong, K. Saji — Integrated circuit yield statistics — Proceedings of the IEEE 71(4), 1983
4. J. A. Cunningham — The use and evaluation of yield models in integrated circuit manufacturing — IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing 3(2), 1990
5. W. J. Hopp, M. L. Spearman — Factory Physics (3rd ed.), ch. 7–8: Little’s law, Kingman (VUT) equation — Waveland Press, 2008
6. J. D. C. Little — A Proof for the Queuing Formula L = λW — Operations Research 9(3), 1961
7. D. C. Montgomery — Introduction to Statistical Quality Control (x̄ charts, process capability Cpk) — Wiley, 2019
8. NIST/SEMATECH e-Handbook of Statistical Methods — 6.3 Univariate and Multivariate Control Charts; 6.1.6 Process capability — NIST
9. Dies-per-wafer estimate DPW = πd²/(4S) − πd/√(2S) (de Vries, “Investigation of gross die per wafer formulas”, IEEE TSM 18(1)) — IEEE, 2005
10. Fan affinity laws: flow ∝ speed, pressure ∝ speed², power ∝ speed³ — U.S. DOE — Improving Fan System Performance: A Sourcebook for Industry
11. EN 1822-1:2019 High efficiency air filters (EPA, HEPA and ULPA) — classification (U15 ≥ 99.9995 % at MPPS) — CEN, 2019
12. Western Electric Statistical Quality Control Handbook (1956) — zone rules for control charts — Western Electric / NIST e-Handbook 6.3.2
13. W. Whyte — Cleanroom Technology: Fundamentals of Design, Testing and Operation (2nd ed.), ch. on dispersion of particles from people; well-mixed room dilution equation — Wiley, 2010
14. Yu. I. Bogdanov, N. A. Bogdanova, V. L. Dshkhunyan — Statistical Yield Modeling for IC Manufacture: Hierarchical Fault Distributions (§2 Compound Poisson distribution, after Eq. (17), p. 4 of the arXiv PDF — large-area clustering negative binomial model: the cluster parameter’s “typical values approximately range from 0.3 to 7”) — arXiv physics/0303039, 2003
15. R. C. Leachman — Yield Modeling and Analysis (Poisson, Murphy, Seeds, negative-binomial models; §8: SMLY survey with C. N. Berglund for International SEMATECH, 2002–03 — yield loss fitted as YL(t) = YL(0)·e^(−λt), Table 2 averages 4.4 / 4.0 / 6.5 %/month at 350 / 250 / 180 nm) — UC Berkeley, IEOR 130 course notes (unpublished), 2014
16. A. Klemmt, L. Mönch — Scheduling jobs with time constraints between consecutive process steps in semiconductor manufacturing (time windows set by process engineering against native oxidation and contamination; jobs that violate them are scrapped) — Proceedings of the 2012 Winter Simulation Conference, 2012
17. NIST/SEMATECH e-Handbook of Statistical Methods — 8.1.6.1 Exponential distribution (constant failure rate) — NIST
18. C. Weber — Yield learning and the sources of profitability in semiconductor manufacturing and process development — IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing 17(4), 2004
19. M. Abramowitz, I. Stegun — Handbook of Mathematical Functions, 26.2.17 — NBS, 1964