ସମସ୍ତ ଶିଳ୍ପ › ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫ୍ୟାବ୍ 💠 ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫ୍ୟାବ୍ ଲାଇଭ୍ ମଡେଲ୍ ଆପଣ ଏକ ୩୦୦ mm ୱେଫର୍ ଫ୍ୟାବ୍ର ଲିଥୋଗ୍ରାଫି ବେ ଚଳାନ୍ତି — ଆଠଟି ସ୍କାନର୍, ଏକ କ୍ଲିନରୁମ୍ ଏବଂ ବିନିର୍ଦ୍ଦେଶ ଭିତରେ ରହିବାକୁ ଥିବା ଏକ ରେସିପି। ୱେଫର୍ ଧାଡ଼ିରେ ଲାଗେ, ଟୁଲ୍ ଭାଙ୍ଗେ, କଣିକା ଭିତରକୁ ଆସେ ଏବଂ ୟିଲ୍ଡ ପ୍ରତ୍ୟେକ ନିଷ୍ପତ୍ତି ସହ ବଦଳେ।
ଆପଣ କ'ଣ ଶିଖିବେ ଟୁଲ୍ ଗୋଷ୍ଠୀକୁ ୧୦୦ % ବ୍ୟବହାର ନିକଟରେ ଚଳାଇଲେ ଧାଡ଼ି କାହିଁକି ଫାଟିପଡ଼େ (ଲିଟିଲ୍ଙ୍କ ନିୟମ, କିଙ୍ଗମାନ୍)। ବାୟୁରେ ଥିବା କଣିକା କିପରି ଘାତକ ତ୍ରୁଟି ହୁଏ, ଏବଂ ଡାଇ ଆକାର ୟିଲ୍ଡକୁ କିପରି ବଦଳାଏ (ନେଗେଟିଭ୍-ବାଇନୋମିଆଲ୍ ମଡେଲ୍)। SPC ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଚାର୍ଟ ୱେଫର୍ ସ୍କ୍ରାପ୍ ହେବା ପୂର୍ବରୁ ଖସୁଥିବା ରେସିପିକୁ କିପରି ପ୍ରକାଶ କରେ। ଲାଇଭ୍ ସିମୁଲେଟର୍କୁ JavaScript ଦରକାର। ତଳେ ସବୁକିଛି — ମଡେଲ୍, ଏହାର ସୂତ୍ର ଓ ଉତ୍ସ — ତାହା ବିନା ପଢ଼ିହେବ।
ସିମୁଲେଟର
ଟୁଲ୍ ଉପଲବ୍ଧତା 100% · ଚାଲୁ କାମ 20 · କ୍ଲିନରୁମ୍ ISO ଶ୍ରେଣୀ 3.4 S1 ⚙ S2 ▶ S3 ▶ S4 ▶ S5 ▶ S6 ▶ S7 ‖ S8 ‖ WIP 20 ▶ 34 wph ▶ ଉତ୍ପାଦକ‖ ଷ୍ଟାଣ୍ଡବାଏ⚙ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ✕ ବନ୍ଦ (ମରାମତି)• ବାୟୁରେ କଣିକାନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଉତ୍ପାଦ ମୋବାଇଲ୍ ଚିପ୍ (୧୦୦ mm² ଡାଇ)
ମୋବାଇଲ୍ ଚିପ୍ (୧୦୦ mm² ଡାଇ) ଏକ୍ସିଲରେଟର୍ ଚିପ୍ (୬୦୦ mm² ଡାଇ) ଫିଲ୍ଟର୍ ଲିକ୍ ସିଲ୍ କରିବାକୁ ଦଳ ପଠାନ୍ତୁ ୩ ଘଣ୍ଟା ଲାଗେ ଏବଂ କାମ ସମୟରେ କକ୍ଷରେ ୨ ଜଣ ଅଧିକ ଯୋଡ଼େ।
ରେସିପି ରୋଲ୍ ବ୍ୟାକ୍ କରନ୍ତୁ ଏବଂ ପୁନଃ-ଯୋଗ୍ୟତା ପ୍ରାପ୍ତ କରନ୍ତୁ ଅଧା କ୍ଷମତାରେ ୨ ଘଣ୍ଟା, ତା'ପରେ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଲକ୍ଷ୍ୟକୁ ଫେରେ।
ସୂଚକ କ୍ଲିନରୁମ୍ ISO ଶ୍ରେଣୀ
3.4
ସ୍ୱାଭାବିକ
ଟୁଲ୍ ଉପଲବ୍ଧତା 100 % ଟୁଲ୍ ବ୍ୟବହାର 71 % ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ସମୟ 10 % ରିଲିଜ୍ ହୋଇଥିବା ୱେଫର୍ ଷ୍ଟାର୍ଟ 34 wph ଚାଲୁ କାମ 20 wafers ତ୍ରୁଟି ଘନତା 0.110 /cm² ପ୍ରକ୍ରିୟା କ୍ଷମତା Cpk 1.25 · ସତର୍କତା ବିନିର୍ଦ୍ଦେଶ ବାହାରେ (ୱେଫର୍-ସମତୁଲ୍ୟ) 0.0 wph ବେ ବିଦ୍ୟୁତ୍ 1339 kW
ପ୍ରବୃତ୍ତି ଚାର୍ଟ ମେଟ୍ରିକ୍ ବାହାରୁଥିବା ଭଲ ଡାଇ ୟିଲ୍ଡ କ୍ଲିନରୁମ୍ ISO ଶ୍ରେଣୀ ବେ ଚକ୍ର ସମୟ ଟୁଲ୍ ଉପଲବ୍ଧତା ଟୁଲ୍ ବ୍ୟବହାର ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ସମୟ ରିଲିଜ୍ ହୋଇଥିବା ୱେଫର୍ ଷ୍ଟାର୍ଟ ଚାଲୁ କାମ ତ୍ରୁଟି ଘନତା ପ୍ରକ୍ରିୟା କ୍ଷମତା Cpk ବିନିର୍ଦ୍ଦେଶ ବାହାରେ (ୱେଫର୍-ସମତୁଲ୍ୟ) ବେ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ବାହାରୁଥିବା ଭଲ ଡାଇ: — /h 25000 0 SPC ନମୁନା (CD ଅଫ୍ସେଟ୍) SPC ନମୁନା (CD ଅଫ୍ସେଟ୍): 0 ⚑ +3σ −3σ ସଙ୍କଟ ପରିସ୍ଥିତି ସ୍ତର 1 · କଣିକା ବିଚ୍ୟୁତି ମୋବାଇଲ୍-ଚିପ୍ ଲାଇନ୍ରେ ଏକ ସାଧାରଣ ସିଫ୍ଟ। ବେ ଉପରେ କେଉଁଠି ଛାତ ଫିଲ୍ଟର୍ ବିଫଳ ହେବାକୁ ଯାଉଛି। କ୍ଲିନରୁମ୍କୁ ଶ୍ରେଣୀ ଭିତରେ ରଖନ୍ତୁ, ୟିଲ୍ଡ ରକ୍ଷା କରନ୍ତୁ — ଏବଂ ପଙ୍ଖାକୁ ଦରକାରଠାରୁ ଅଧିକ ସମୟ ପୂର୍ଣ୍ଣ ଗତିରେ ଛାଡ଼ନ୍ତୁ ନାହିଁ।
ଶେଷରେ ISO ଶ୍ରେଣୀ ପୁଣି ≤ ୩.୬ ପ୍ରଥମ ଘଣ୍ଟା ପରେ କେବେ ଶ୍ରେଣୀ ୪.୫୫ ଉପରେ ନୁହେଁ ବିଚ୍ୟୁତିର ପ୍ରଥମ ଘଣ୍ଟାରେ ହାରାହାରି ୟିଲ୍ଡ ≥ ୮୭ % ଦ୍ୱିତୀୟ ଅଧରେ ହାରାହାରି ବେ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ≤ ୧,୩୮୦ kW ସ୍ତର 2 · ସ୍କାନର୍ କ୍ରାସ୍ ବେ ଘଣ୍ଟା ପ୍ରତି ୩୮ ୱେଫର୍ ଷ୍ଟାର୍ଟରେ ଗରମ ଚାଲୁଛି। ତିନିଟି ସ୍କାନର୍ ଏକାସାଙ୍ଗରେ ବନ୍ଦ ହେବାକୁ ଯାଉଛି। ସେଗୁଡ଼ିକୁ ଫେରାଇ ଆଣିବା ସମୟରେ ଧାଡ଼ିକୁ ଫାଟିବାରୁ ରୋକନ୍ତୁ, ଏବଂ ତଥାପି ଭଲ ଡାଇ ପଠାନ୍ତୁ।
ଶେଷରେ WIP ≤ ୬୦ ୱେଫର୍ କ୍ରାସ୍ ପରେ ଚକ୍ର ସମୟ କେବେ ବି 3.5 h ଉପରେ ନୁହେଁ (ଧାଡ଼ି-ସମୟ ୱିଣ୍ଡୋ) ୪୮ ଘଣ୍ଟାରେ ଅତି କମରେ ୯୦୦,୦୦୦ ଭଲ ଡାଇ 48 h ରେ ଅତି କମ୍ରେ 1,600 ୱେଫର୍ ଷ୍ଟାର୍ଟ ରିଲିଜ୍ କରନ୍ତୁ (ଷ୍ଟାର୍ଟ ଯୋଜନା: ଘଣ୍ଟାରେ 34) ସ୍ତର 3 · ରେସିପି ଖସିବା ଗତ ରାତିରେ ଏକ ନୂଆ ରେସିପି ସଂସ୍କରଣ ଲାଇଭ୍ ହେଲା। କେହି ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଜାଣି ନାହାଁନ୍ତି ଯେ ଏହା ଧୀରେ ଧୀରେ ଗୁରୁତର ପରିମାଣକୁ ଖସାଏ। SPC ଚାର୍ଟ ଦେଖନ୍ତୁ: ୱେଫର୍ ବିନିର୍ଦ୍ଦେଶ ବାହାରକୁ ଯିବା ପୂର୍ବରୁ ଖସିବା ଧରନ୍ତୁ ଏବଂ ରୋଲ୍ ବ୍ୟାକ୍ କରନ୍ତୁ।
ମୋଟ ଅଧିକରୁ ଅଧିକ ୧୨ ବିନିର୍ଦ୍ଦେଶ ବାହାରେ ୱେଫର୍-ସମତୁଲ୍ୟ ଶେଷରେ Cpk ≥ ୧.୨ ଅତି କମରେ ୬୨୦,୦୦୦ ଭଲ ଡାଇ ସ୍ତର 2 · ନୂଆ ଉତ୍ପାଦ ରାମ୍ପ ଏକ ବଡ଼ ଏକ୍ସିଲରେଟର୍ ଚିପ୍ ଅପରିପକ୍ୱ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସହ ଉତ୍ପାଦନରେ ପ୍ରବେଶ କରେ: ତ୍ରୁଟି ଘନତା ଅଧିକ ଏବଂ ୬୦୦ mm² ଡାଇ କ୍ଷମାହୀନ। ଲାଇନ୍ ଘଣ୍ଟା ପ୍ରତି ୪୨ ୱେଫର୍ ଷ୍ଟାର୍ଟରେ ଲୋଡ୍ ହୋଇଛି। ଆପଣଙ୍କ ପାଖରେ ୧୪ ଦିନ ଅଛି। ଆଜିର ଉତ୍ପାଦନକୁ କାଲିର ଶିକ୍ଷା ସହ ସନ୍ତୁଳିତ କରନ୍ତୁ।
ଦିନ ୧୪ ରେ ତ୍ରୁଟି ଘନତା ≤ ୦.୦୮ /cm² ୧୪ ଦିନରେ ଅତି କମରେ ୬୬୦,୦୦୦ ଭଲ ଡାଇ ଆଧାର — ସଂଖ୍ୟା ପଛର ମଡେଲ୍ ସିମୁଲେଟର ବ୍ୟବହାର କରୁଥିବା ପ୍ରତ୍ୟେକ ସମ୍ପର୍କ, ନିଜ ଉତ୍ସ ସହ। ଅନୁମାନ ଭାବେ ଚିହ୍ନିତ ଧ୍ରୁବାଙ୍କ ଉଦାହରଣମୂଳକ କ୍ୟାଲିବ୍ରେସନ୍।
ୱେଫର୍ ଉପରେ ପଡ଼ୁଥିବା କଣିକା ବାୟୁ ଘନତାର ଅନୁପାତରେ ଘାତକ ତ୍ରୁଟି ଯୋଡ଼େ। D_total = D_learn + k · C, k = 4·10⁻⁶ cm⁻² per particle/m³ଅନୁମାନ: ଏକ ଉଦାହରଣମୂଳକ ଧ୍ରୁବାଙ୍କ — ପ୍ରକୃତ ଫ୍ୟାବ୍ ନିଜ ଯାଞ୍ଚ ତଥ୍ୟରୁ ଘାତକ-ତ୍ରୁଟି ହାର କ୍ୟାଲିବ୍ରେଟ୍ କରନ୍ତି।
ମଡେଲ୍ ଦ୍ୱାରା ବ୍ୟବହୃତ ଅନ୍ୟ ପରିଚାଳନା ଧ୍ରୁବାଙ୍କ। 8 scanners × 6 wafer-starts/h · metrology −0.5 % capacity per sampled wafer/h · rollback: 2 h at half capacity + 4 wafer-equivalents reworked · drift 0.25 nm/h · crash repair 18 technician-hours · leak crew +2 people for 3 h · tools 150 kW busy / 60 kW idle, fans 150 kW at 100 %ଅନୁମାନ: ପରିମାଣ (MTBF, ଉତ୍ପାଦନ ହାର, k, τ) ଉଦାହରଣମୂଳକ କ୍ୟାଲିବ୍ରେସନ୍, ପ୍ରକୃତ ଫ୍ୟାବ୍ର ତଥ୍ୟ ନୁହେଁ। ଅନିୟମିତତା: ସିଡ୍ ଥିବା mulberry32 ଜେନେରେଟର; ବ୍ୟବହୃତ ବଣ୍ଟନ — ଏକରୂପ, ଘାତାଙ୍କୀୟ (ଓଲଟା CDF), ସାଧାରଣ (Box–Muller), ପଏସନ୍ (Knuth)। ସିଡ୍ ଦେଖାଯାଏ ଏବଂ ସେୟାର୍ କରାଯାଇପାରେ।
ଉତ୍ସ SEMI E10 — Specification for Definition and Measurement of Equipment Reliability, Availability, and Maintainability (RAM) and Utilization — SEMIISO 14644-1:2015 Cleanrooms and associated controlled environments — Part 1: Classification of air cleanliness by particle concentration — ISO, 2015C. H. Stapper, F. M. Armstrong, K. Saji — Integrated circuit yield statistics — Proceedings of the IEEE 71(4), 1983J. A. Cunningham — The use and evaluation of yield models in integrated circuit manufacturing — IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing 3(2), 1990W. J. Hopp, M. L. Spearman — Factory Physics (3rd ed.), ch. 7–8: Little’s law, Kingman (VUT) equation — Waveland Press, 2008 J. D. C. Little — A Proof for the Queuing Formula L = λW — Operations Research 9(3), 1961D. C. Montgomery — Introduction to Statistical Quality Control (x̄ charts, process capability Cpk) — Wiley, 2019 NIST/SEMATECH e-Handbook of Statistical Methods — 6.3 Univariate and Multivariate Control Charts; 6.1.6 Process capability — NISTDies-per-wafer estimate DPW = πd²/(4S) − πd/√(2S) (de Vries, “Investigation of gross die per wafer formulas”, IEEE TSM 18(1)) — IEEE, 2005Fan affinity laws: flow ∝ speed, pressure ∝ speed², power ∝ speed³ — U.S. DOE — Improving Fan System Performance: A Sourcebook for IndustryEN 1822-1:2019 High efficiency air filters (EPA, HEPA and ULPA) — classification (U15 ≥ 99.9995 % at MPPS) — CEN, 2019 Western Electric Statistical Quality Control Handbook (1956) — zone rules for control charts — Western Electric / NIST e-Handbook 6.3.2W. Whyte — Cleanroom Technology: Fundamentals of Design, Testing and Operation (2nd ed.), ch. on dispersion of particles from people; well-mixed room dilution equation — Wiley, 2010 Yu. I. Bogdanov, N. A. Bogdanova, V. L. Dshkhunyan — Statistical Yield Modeling for IC Manufacture: Hierarchical Fault Distributions (§2 Compound Poisson distribution, after Eq. (17), p. 4 of the arXiv PDF — large-area clustering negative binomial model: the cluster parameter’s “typical values approximately range from 0.3 to 7”) — arXiv physics/0303039, 2003R. C. Leachman — Yield Modeling and Analysis (Poisson, Murphy, Seeds, negative-binomial models; §8: SMLY survey with C. N. Berglund for International SEMATECH, 2002–03 — yield loss fitted as YL(t) = YL(0)·e^(−λt), Table 2 averages 4.4 / 4.0 / 6.5 %/month at 350 / 250 / 180 nm) — UC Berkeley, IEOR 130 course notes (unpublished), 2014 A. Klemmt, L. Mönch — Scheduling jobs with time constraints between consecutive process steps in semiconductor manufacturing (time windows set by process engineering against native oxidation and contamination; jobs that violate them are scrapped) — Proceedings of the 2012 Winter Simulation Conference, 2012NIST/SEMATECH e-Handbook of Statistical Methods — 8.1.6.1 Exponential distribution (constant failure rate) — NISTC. Weber — Yield learning and the sources of profitability in semiconductor manufacturing and process development — IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing 17(4), 2004M. Abramowitz, I. Stegun — Handbook of Mathematical Functions, 26.2.17 — NBS, 1964 ଶିକ୍ଷାମୂଳକ ମଡେଲ୍ — ପରିଚାଳନା ନିଷ୍ପତ୍ତି ପାଇଁ ନୁହେଁ। ପ୍ରକୃତ ସାଇଟ୍ ପ୍ରତ୍ୟେକ ଧ୍ରୁବାଙ୍କକୁ ନିଜ ଉପକରଣ ଓ ତଥ୍ୟ ଅନୁସାରେ କ୍ୟାଲିବ୍ରେଟ୍ କରନ୍ତି।