Prowadzisz halę litografii fabryki wafli 300 mm — osiem skanerów, cleanroom i recepturę, która musi mieścić się w specyfikacji. Wafle stoją w kolejce, urządzenia się psują, cząstki wnikają, a uzysk zmienia się z każdą decyzją.
Czego się nauczysz
Dlaczego praca grupy urządzeń blisko 100 % wykorzystania sprawia, że kolejki eksplodują (prawo Little’a, Kingman).
Jak cząstki w powietrzu stają się defektami zabójczymi i jak rozmiar struktury zmienia uzysk (model dwumianu ujemnego).
Jak karty kontrolne SPC ujawniają dryf receptury, zanim zepsuje wafle.
Symulator
Czas 0 h
▶Produkcja
‖Gotowość
⚙Inżynieria
✕Przestój (naprawa)
•Cząstki w powietrzu
Sterowanie
Wafle wprowadzane do hali na godzinę.
Udział czasu skanera przeznaczony na eksperymentalne partie płytek, które uczą proces: teraz mniejsza produkcja, później mniej defektów.
Każdy technik naprawia jedno urządzenie naraz.
Więcej wymian powietrza rozcieńcza cząstki; moc wentylatora rośnie z sześcianem prędkości.
Każda osoba w ubraniu ochronnym nadal emituje cząstki.
Wafle mierzone na godzinę: ostrzejsza karta SPC, nieco mniejsza wydajność.
Trwa 3 h i dodaje 2 osoby w pomieszczeniu na czas pracy.
2 h przy połowie wydajności, potem proces wraca do celu.
Wskaźniki
Dobre struktury na wyjściu
19547/h
Uzysk
89,8%
normalny
Klasa ISO cleanroomu
3,4
normalny
Czas cyklu hali
1,6h
normalny
Dostępność urządzeń
100 %
Wykorzystanie urządzeń
71 %
Czas inżynieryjny
10 %
Wprowadzone starty wafli
34 wph
Praca w toku
20 wafers
Gęstość defektów
0,110 /cm²
Zdolność procesu Cpk
1,25 · ostrzeżenie
Poza specyfikacją (ekwiwalent wafli)
0,0 wph
Moc hali
1339 kW
Trend
Próbka SPC (odchylenie CD)
Scenariusze kryzysowe
Poziom 1 · Odchylenie cząstek
Rutynowa zmiana na linii układów mobilnych. Gdzieś nad halą zaraz zawiedzie filtr sufitowy. Utrzymaj cleanroom w klasie, chroń uzysk — i nie zostawiaj wentylatorów na pełnej prędkości dłużej, niż trzeba.
Klasa ISO z powrotem ≤ 3,6 na końcu
Nigdy powyżej klasy 4,55 po pierwszej godzinie
Średni uzysk ≥ 87 % w pierwszych godzinach odchylenia
Średnia moc hali ≤ 1380 kW w drugiej połowie
Poziom 2 · Awaria skanerów
Hala pracuje na wysokich obrotach przy 38 startach wafli na godzinę. Trzy skanery zaraz wypadną jednocześnie. Nie dopuść do eksplozji kolejki, aż je przywrócisz, i nadal dostarczaj dobre struktury.
WIP ≤ 60 wafli na końcu
Czas cyklu po awarii nigdy powyżej 3,5 h (okno czasu kolejki)
Co najmniej 900 000 dobrych struktur w 48 h
Wprowadź co najmniej 1600 startów wafli w 48 h (plan startów: 34 na godzinę)
Poziom 3 · Dryf receptury
Wczoraj wieczorem weszła nowa wersja receptury. Nikt jeszcze nie wie, że powoli przesuwa wymiar krytyczny. Obserwuj kartę SPC: wychwyć dryf i cofnij recepturę, zanim wafle wyjdą poza specyfikację.
Najwyżej 12 ekwiwalentów wafli poza specyfikacją łącznie
Cpk ≥ 1,2 na końcu
Co najmniej 620 000 dobrych struktur
Poziom 2 · Narastanie nowego produktu
Duży układ akceleratora wchodzi do produkcji z niedojrzałym procesem: gęstość defektów jest wysoka, a struktura 600 mm² nie wybacza. Linia jest załadowana przy 42 startach wafli na godzinę. Masz 14 dni. Zrównoważ dzisiejszą produkcję z nauką na jutro.
Gęstość defektów ≤ 0,08 /cm² w dniu 14
Co najmniej 660 000 dobrych struktur w 14 dni
Podstawa — model stojący za liczbami
Każda zależność używana przez symulator, wraz ze źródłem. Stałe oznaczone jako założenia to kalibracje poglądowe.
Stany urządzeń wg SEMI E10: produkcja, gotowość, inżynieria, przestój planowany i nieplanowany.
Urządzenia psują się losowo z wykładniczym czasem do awarii; naprawy czekają na wolnego technika.
P(fail in Δt) = 1 − e^(−Δt/MTBF), MTBF = 250 h; repair ~ Exp(mean 6 h) once a technician is free[17][1]Założenie: rzędy wielkości (MTBF, tempo generacji, k, τ) to kalibracje poglądowe, a nie dane z prawdziwej fabryki.
Prawo Little’a łączy zapas produkcji w toku, przepustowość i czas cyklu.
W stabilnej linii przepustowość równa się tempu wprowadzania, więc niewprowadzony start wafla to wafel, który nigdy nie wyjdzie. Wafle czekające zbyt długo między krokami przekraczają okno czasu kolejki.
TH = release rate while u < 1 ⇒ wafers out ≈ Σ starts; queue wait = CT − T0 = queue / TH ≤ queue-time window (3.5 h CT in semi-tool-crash)[5][16]Założenie: limit czasu cyklu 3,5 h zastępuje okno czasu kolejki (queue-time); rzeczywiste okna ustala inżynieria procesu krok po kroku, a wafle, które je przekroczą, są zwykle złomowane.
Przybliżenie Kingmana: czas w kolejce rośnie jak u/(1−u) — eksploduje, gdy wykorzystanie zbliża się do 100 %.
CTq ≈ ((ca² + ce²)/2) · (u/(1−u)) · te[5]Pokazane dla intuicji: kolejka symulatora wynika z losowych przyjazdów i losowej wydajności, a nie z tego wzoru.
Graniczna wartość klasy ISO 14644-1 dla cząstek o rozmiarze D; przy 0,1 µm klasa to logarytm stężenia.
Uzysk dwumianu ujemnego: defekty się grupują, więc uzysk spada wolniej, niż przewiduje model Poissona.
Y = (1 + A·D/α)^(−α), α = 2 (α→∞: Y = e^(−A·D))[3][4][15][14]
Uczenie się uzysku: gęstość defektów spada do poziomu dojrzałego w miarę poświęcania czasu inżynieryjnego.
D(t+Δt) = D∞ + (D − D∞)·e^(−Δt/τ), τ = 120 h · (0.10 / engineering share)[15][18]Założenie: τ jest skompresowane w czasie około 100 razy względem raportowanych branżowych tempów uczenia się (4–6,5 % miesięcznie, Leachman), aby 14-dniowy scenariusz pokazał efekt.
Cząstki osiadające na waflach dodają defekty zabójcze proporcjonalnie do stężenia w powietrzu.
D_total = D_learn + k · C, k = 4·10⁻⁶ cm⁻² per particle/m³Założenie: stała poglądowa — prawdziwe fabryki kalibrują tempo defektów zabójczych na podstawie własnych danych z inspekcji.
Uzysk parametryczny: odsetek normalnego procesu mieszczący się w granicach specyfikacji; Cpk mierzy zapas.
Losowość: generator mulberry32 z ziarnem; użyte rozkłady — jednostajny, wykładniczy (odwrotna dystrybuanta), normalny (Box–Muller), Poissona (Knuth). Ziarno jest widoczne i można je udostępnić.
W. Whyte — Cleanroom Technology: Fundamentals of Design, Testing and Operation (2nd ed.), ch. on dispersion of particles from people; well-mixed room dilution equation — Wiley, 2010