פאב מוליכים למחצה מודל חי

אתם מנהלים את מפרץ הליתוגרפיה של פאב פרוסות 300 mm — שמונה סורקים, חדר נקי ומתכון שחייב להישאר בתוך המפרט. פרוסות מחכות בתור, כלים מתקלקלים, חלקיקים נכנסים והתפוקה משתנה עם כל החלטה.

מה תלמדו

סימולטור

זמן 0 h
זמינות כלים 100% · עבודה בתהליך 20 · מחלקת ISO של החדר הנקי 3.4S1⚙S2▶S3▶S4▶S5▶S6▶S7‖S8‖WIP 20▶ 34 wph
  • יצרני
  • המתנה
  • הנדסה
  • מושבת (תיקון)
  • חלקיקים באוויר

בקרות

פרוסות שמשוחררות למפרץ בשעה.

חלק מזמן הסורק שמוקדש לאצוות פרוסות ניסיוניות שמלמדות את התהליך: פחות תפוקה עכשיו, פחות פגמים אחר כך.

כל טכנאי מתקן כלי אחד בכל פעם.

יותר החלפות אוויר מדללות חלקיקים; הספק המאוורר גדל עם המהירות בחזקה שלישית.

כל אדם עטוי חלוק עדיין פולט חלקיקים.

פרוסות שנמדדות בשעה: תרשים SPC חד יותר, מעט פחות קיבולת.

נמשך 3 שעות ומוסיף 2 אנשים בחדר בזמן שהם עובדים.

שעתיים בחצי קיבולת, ואז התהליך חוזר ליעד.

מחוונים

שבבים תקינים שיצאו
19547/h
תפוקה
89.8%
תקין
מחלקת ISO של החדר הנקי
3.4
תקין
זמן מחזור במפרץ
1.6h
תקין
זמינות כלים100 %
ניצולת כלים71 %
זמן הנדסה10 %
התחלות פרוסות ששוחררו34 wph
עבודה בתהליך20 wafers
צפיפות פגמים0.110 /cm²
יכולת תהליך Cpk1.25 · אזהרה
מחוץ למפרט (שווה ערך פרוסות)0.0 wph
הספק המפרץ1339 kW

מגמה

שבבים תקינים שיצאו: — /h250000

דגימת SPC (היסט CD)

דגימת SPC (היסט CD): 0 ⚑+3σ−3σ

תרחישי משבר

רמה 1 · חריגת חלקיקים

משמרת רגילה בקו שבבי הניידים. איפשהו מעל המפרץ מסנן תקרה עומד להיכשל. שמרו על החדר הנקי במחלקה, הגנו על התפוקה — ואל תשאירו את המאווררים במהירות מלאה יותר ממה שצריך.

  • מחלקת ISO חוזרת ל-≤ 3.6 בסוף
  • אף פעם לא מעל מחלקה 4.55 אחרי השעה הראשונה
  • תפוקה ממוצעת ≥ 87 % בשעות הראשונות של החריגה
  • הספק מפרץ ממוצע ≤ 1,380 kW במחצית השנייה

רמה 2 · קריסת סורקים

המפרץ רץ חם ב-38 התחלות פרוסות בשעה. שלושה סורקים עומדים לרדת בבת אחת. מנעו מהתור להתפוצץ בזמן שאתם מחזירים אותם, ועדיין ספקו שבבים תקינים.

  • WIP ≤ 60 פרוסות בסוף
  • זמן מחזור אף פעם לא מעל 3.5 h אחרי הקריסה (חלון זמן-תור)
  • לפחות 900,000 שבבים תקינים ב-48 h
  • שחררו לפחות 1,600 התחלות פרוסות ב-48 h (תוכנית התחלות: 34 בשעה)

רמה 3 · סחיפת מתכון

גרסה חדשה של מתכון עלתה אתמול בלילה. אף אחד עדיין לא יודע שהיא מזיזה לאט את המימד הקריטי. עקבו אחר תרשים ה-SPC: תפסו את הסחיפה ובטלו את המתכון לפני שפרוסות יוצאות מהמפרט.

  • לכל היותר 12 שווה ערך פרוסות מחוץ למפרט בסך הכול
  • Cpk ≥ 1.2 בסוף
  • לפחות 620,000 שבבים תקינים

רמה 2 · העלאת מוצר חדש לקצב מלא

שבב מאיץ גדול נכנס לייצור עם תהליך לא בשל: צפיפות הפגמים גבוהה ושבב של 600 mm² אינו סולח. הקו עמוס ב-42 התחלות פרוסות בשעה. יש לכם 14 ימים. אזנו בין תפוקה היום ללמידה למחר.

  • צפיפות פגמים ≤ 0.08 /cm² ביום 14
  • לפחות 660,000 שבבים תקינים ב-14 ימים

בסיס — המודל שמאחורי המספרים

כל יחס שהסימולטור משתמש בו, עם המקור שלו. קבועים המסומנים כהנחות הם כיולים להמחשה.

מצבי הציוד לפי SEMI E10: יצרני, המתנה, הנדסה, השבתה מתוכננת ושאינה מתוכננת.
Availability = up tools / 8 · Utilization = productive tool-hours / total[1]
כלים מתקלקלים באקראי עם זמן תקלה מעריכי; תיקונים ממתינים לטכנאי פנוי.
P(fail in Δt) = 1 − e^(−Δt/MTBF), MTBF = 250 h; repair ~ Exp(mean 6 h) once a technician is free[17][1]הנחה: סדרי הגודל (MTBF, קצבי יצירה, k, τ) הם כיולים להמחשה, לא נתונים מפאב אמיתי.
חוק Little מקשר בין עבודה בתהליך, תפוקה וזמן מחזור.
CT = WIP / TH = T0 + queue / TH, T0 = 1 h[6][5]
בקו יציב התפוקה שווה לקצב השחרור, ולכן התחלת פרוסה שלא שוחררה היא פרוסה שלעולם לא יוצאת. פרוסות שממתינות יותר מדי זמן בין שלבים חורגות מחלון זמן-התור.
TH = release rate while u < 1 ⇒ wafers out ≈ Σ starts; queue wait = CT − T0 = queue / TH ≤ queue-time window (3.5 h CT in semi-tool-crash)[5][16]הנחה: מגבלת זמן המחזור של 3.5 h מייצגת חלון זמן-תור (queue time); חלונות אמיתיים נקבעים שלב אחר שלב על ידי הנדסת התהליך, ופרוסות שחורגות מהם נגרטות בדרך כלל.
קירוב Kingman: זמן התור גדל כמו u/(1−u) — הוא מתפוצץ כשהניצולת מתקרבת ל-100 %.
CTq ≈ ((ca² + ce²)/2) · (u/(1−u)) · te[5]מוצג להבנה אינטואיטיבית: התור בסימולטור נוצר מהגעות אקראיות וקיבולת אקראית ולא מנוסחה זו.
גבול מחלקת ISO 14644-1 לחלקיקים בגודל D; ב-0.1 µm המחלקה היא הלוגריתם של הריכוז.
Cn = 10^N · (0.1/D)^2.08 ⇒ N = log10(C≥0.1µm)[2]
חדר מעורבב היטב: ריכוז = יצירה ÷ (החלפות אוויר × נפח × יעילות מסנן).
C = G / (ACH · V · η)[13][11]הנחה: סדרי הגודל (MTBF, קצבי יצירה, k, τ) הם כיולים להמחשה, לא נתונים מפאב אמיתי.
חוק הדמיון של מאווררים: ההספק עולה בחזקה שלישית של מהירות המאוורר.
P_fan = P_max · (speed)³[10]
תפוקה בינומית שלילית: פגמים מתקבצים, ולכן התפוקה יורדת לאט יותר ממה שמודל פואסון חוזה.
Y = (1 + A·D/α)^(−α), α = 2 (α→∞: Y = e^(−A·D))[3][4][15][14]
למידת תפוקה: צפיפות הפגמים דועכת לעבר רמה בוגרת ככל שמושקע זמן הנדסה.
D(t+Δt) = D∞ + (D − D∞)·e^(−Δt/τ), τ = 120 h · (0.10 / engineering share)[15][18]הנחה: τ מכווץ בזמן בכ-100× לעומת קצבי הלמידה המדווחים בתעשייה (4–6.5 % בחודש, Leachman) כדי שתרחיש של 14 ימים יראה את האפקט.
חלקיקים שנוחתים על פרוסות מוסיפים פגמים קטלניים בפרופורציה לריכוז האוויר.
D_total = D_learn + k · C, k = 4·10⁻⁶ cm⁻² per particle/m³הנחה: קבוע להמחשה — פאבים אמיתיים מכיילים קצבי פגמים קטלניים מנתוני הבדיקה שלהם.
תפוקה פרמטרית: חלק תהליך נורמלי שנופל בתוך גבולות המפרט; Cpk מודד את המרווח.
Y_param = Φ((USL−μ)/σ) − Φ((LSL−μ)/σ), Cpk = min(USL−μ, μ−LSL)/(3σ)[7][8][19]
SPC: ממוצעים של n דגימות, עם גבולות בקרה ±3σ/√n וכללי אזורים.
x̄ ~ N(μ, σ/√n), control limits ±3σ/√n; zone rules (2 of 3 beyond 2σ, 4 of 5 beyond 1σ, 8 on one side)[8][7][12]
קבועים תפעוליים נוספים שהמודל משתמש בהם.
8 scanners × 6 wafer-starts/h · metrology −0.5 % capacity per sampled wafer/h · rollback: 2 h at half capacity + 4 wafer-equivalents reworked · drift 0.25 nm/h · crash repair 18 technician-hours · leak crew +2 people for 3 h · tools 150 kW busy / 60 kW idle, fans 150 kW at 100 %הנחה: סדרי הגודל (MTBF, קצבי יצירה, k, τ) הם כיולים להמחשה, לא נתונים מפאב אמיתי.
שבבים ברוטו לפרוסה של 300 mm עבור שבב בשטח A.
DPW = π·d²/(4A) − π·d/√(2A), d = 300 mm[9]

אקראיות: מחולל mulberry32 עם זרע; ההתפלגויות שבשימוש — אחידה, מעריכית (CDF הפוך), נורמלית (Box–Muller), פואסון (Knuth). הזרע מוצג וניתן לשיתוף.

מקורות

  1. SEMI E10 — Specification for Definition and Measurement of Equipment Reliability, Availability, and Maintainability (RAM) and Utilization — SEMI
  2. ISO 14644-1:2015 Cleanrooms and associated controlled environments — Part 1: Classification of air cleanliness by particle concentration — ISO, 2015
  3. C. H. Stapper, F. M. Armstrong, K. Saji — Integrated circuit yield statistics — Proceedings of the IEEE 71(4), 1983
  4. J. A. Cunningham — The use and evaluation of yield models in integrated circuit manufacturing — IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing 3(2), 1990
  5. W. J. Hopp, M. L. Spearman — Factory Physics (3rd ed.), ch. 7–8: Little’s law, Kingman (VUT) equation — Waveland Press, 2008
  6. J. D. C. Little — A Proof for the Queuing Formula L = λW — Operations Research 9(3), 1961
  7. D. C. Montgomery — Introduction to Statistical Quality Control (x̄ charts, process capability Cpk) — Wiley, 2019
  8. NIST/SEMATECH e-Handbook of Statistical Methods — 6.3 Univariate and Multivariate Control Charts; 6.1.6 Process capability — NIST
  9. Dies-per-wafer estimate DPW = πd²/(4S) − πd/√(2S) (de Vries, “Investigation of gross die per wafer formulas”, IEEE TSM 18(1)) — IEEE, 2005
  10. Fan affinity laws: flow ∝ speed, pressure ∝ speed², power ∝ speed³ — U.S. DOE — Improving Fan System Performance: A Sourcebook for Industry
  11. EN 1822-1:2019 High efficiency air filters (EPA, HEPA and ULPA) — classification (U15 ≥ 99.9995 % at MPPS) — CEN, 2019
  12. Western Electric Statistical Quality Control Handbook (1956) — zone rules for control charts — Western Electric / NIST e-Handbook 6.3.2
  13. W. Whyte — Cleanroom Technology: Fundamentals of Design, Testing and Operation (2nd ed.), ch. on dispersion of particles from people; well-mixed room dilution equation — Wiley, 2010
  14. Yu. I. Bogdanov, N. A. Bogdanova, V. L. Dshkhunyan — Statistical Yield Modeling for IC Manufacture: Hierarchical Fault Distributions (§2 Compound Poisson distribution, after Eq. (17), p. 4 of the arXiv PDF — large-area clustering negative binomial model: the cluster parameter’s “typical values approximately range from 0.3 to 7”) — arXiv physics/0303039, 2003
  15. R. C. Leachman — Yield Modeling and Analysis (Poisson, Murphy, Seeds, negative-binomial models; §8: SMLY survey with C. N. Berglund for International SEMATECH, 2002–03 — yield loss fitted as YL(t) = YL(0)·e^(−λt), Table 2 averages 4.4 / 4.0 / 6.5 %/month at 350 / 250 / 180 nm) — UC Berkeley, IEOR 130 course notes (unpublished), 2014
  16. A. Klemmt, L. Mönch — Scheduling jobs with time constraints between consecutive process steps in semiconductor manufacturing (time windows set by process engineering against native oxidation and contamination; jobs that violate them are scrapped) — Proceedings of the 2012 Winter Simulation Conference, 2012
  17. NIST/SEMATECH e-Handbook of Statistical Methods — 8.1.6.1 Exponential distribution (constant failure rate) — NIST
  18. C. Weber — Yield learning and the sources of profitability in semiconductor manufacturing and process development — IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing 17(4), 2004
  19. M. Abramowitz, I. Stegun — Handbook of Mathematical Functions, 26.2.17 — NBS, 1964

מי עושה את זה למחייתו

מודל חינוכי — לא לקבלת החלטות תפעוליות. אתרים אמיתיים מכיילים כל קבוע לציוד ולנתונים שלהם.