Jūs vadāt 300 mm plākšņu fabrikas litogrāfijas nodalījumu — astoņus skenerus, tīrtelpu un recepti, kam jāpaliek specifikācijas robežās. Plāksnes veido rindu, iekārtas lūzt, daļiņas ieplūst un raža mainās ar katru lēmumu.
Plākšņu skaits, kas stundā tiek palaists nodalījumā.
Skenera laika daļa, kas atvēlēta eksperimentālām plākšņu partijām, kuras apmāca procesu: tagad mazāk izlaides, vēlāk mazāk defektu.
Katrs tehniķis remontē vienu iekārtu vienlaikus.
Vairāk gaisa maiņu atšķaida daļiņas; ventilatora jauda aug ar ātruma kubu.
Katrs tērpā ģērbies cilvēks tāpat atbrīvo daļiņas.
Plākšņu skaits, ko mēra stundā: asāka SPC diagramma, nedaudz mazāka jauda.
Aizņem 3 h un, kamēr tie strādā, pievieno 2 cilvēkus telpā.
2 h ar pusi jaudas, tad process atkal ir mērķī.
| Iekārtu pieejamība | 100 % |
|---|---|
| Iekārtu noslodze | 71 % |
| Inženiertehniskais laiks | 10 % |
| Palaistās plāksnes | 34 wph |
| Nepabeigtais darbs | 20 wafers |
| Defektu blīvums | 0,110 /cm² |
| Procesa spēja Cpk | 1,25 · brīdinājums |
| Ārpus specifikācijas (plākšņu ekvivalenti) | 0,0 wph |
| Nodalījuma jauda | 1339 kW |
Ierasta maiņa mobilo mikroshēmu līnijā. Kaut kur virs nodalījuma griestu filtrs drīz atteiks. Noturiet tīrtelpu klasē, aizsargājiet ražu — un neatstājiet ventilatorus pilnā ātrumā ilgāk, nekā nepieciešams.
Nodalījums darbojas karsti pie 38 plākšņu palaišanām stundā. Trīs skeneri drīz vienlaikus izies no ierindas. Neļaujiet rindai eksplodēt, kamēr tos atjaunojat, un tomēr izlaidiet derīgus kristālus.
Vakar vakarā ekspluatācijā nonāca jauna receptes versija. Neviens vēl nezina, ka tā lēnām nobīda kritisko izmēru. Vērojiet SPC diagrammu: pamaniet novirzi un atceliet versiju, pirms plāksnes iziet ārpus specifikācijas.
Liels akseleratora mikroshēmas kristāls nonāk ražošanā ar nenobriedušu procesu: defektu blīvums ir augsts, un 600 mm² kristāls ir nepiedodošs. Līnija ir noslogota ar 42 plākšņu palaišanām stundā. Jums ir 14 dienas. Līdziniet šodienas izlaidi ar rītdienas apguvi.
Katra simulatora izmantotā sakarība ar tās avotu. Konstantes, kas atzīmētas kā pieņēmumi, ir ilustratīvas kalibrācijas.
Availability = up tools / 8 · Utilization = productive tool-hours / total[1]P(fail in Δt) = 1 − e^(−Δt/MTBF), MTBF = 250 h; repair ~ Exp(mean 6 h) once a technician is free[17][1]Pieņēmums: lielumi (MTBF, ģenerēšanas ātrumi, k, τ) ir ilustratīvas kalibrācijas, nevis dati no īstas fabrikas.CT = WIP / TH = T0 + queue / TH, T0 = 1 h[6][5]TH = release rate while u < 1 ⇒ wafers out ≈ Σ starts; queue wait = CT − T0 = queue / TH ≤ queue-time window (3.5 h CT in semi-tool-crash)[5][16]Pieņēmums: 3,5 h cikla laika robeža aizstāj rindas laika logu; reālos logus procesa inženieri nosaka katram solim atsevišķi, un plāksnes, kas tos pārkāpj, parasti tiek brāķētas.CTq ≈ ((ca² + ce²)/2) · (u/(1−u)) · te[5]Parādīts intuīcijas dēļ: simulatora rinda rodas no nejaušām ierašanās reizēm un nejaušas jaudas, nevis no šīs formulas.Cn = 10^N · (0.1/D)^2.08 ⇒ N = log10(C≥0.1µm)[2]C = G / (ACH · V · η)[13][11]Pieņēmums: lielumi (MTBF, ģenerēšanas ātrumi, k, τ) ir ilustratīvas kalibrācijas, nevis dati no īstas fabrikas.P_fan = P_max · (speed)³[10]Y = (1 + A·D/α)^(−α), α = 2 (α→∞: Y = e^(−A·D))[3][4][15][14]D(t+Δt) = D∞ + (D − D∞)·e^(−Δt/τ), τ = 120 h · (0.10 / engineering share)[15][18]Pieņēmums: τ ir laika ziņā saspiests apmēram 100 reižu salīdzinājumā ar publicētajiem nozares apguves tempiem (4–6,5 % mēnesī, Leachman), lai 14 dienu scenārijs parādītu efektu.D_total = D_learn + k · C, k = 4·10⁻⁶ cm⁻² per particle/m³Pieņēmums: ilustratīva konstante — īstas fabrikas kalibrē nāvējošo defektu ātrumus pēc savas pārbaužu datiem.Y_param = Φ((USL−μ)/σ) − Φ((LSL−μ)/σ), Cpk = min(USL−μ, μ−LSL)/(3σ)[7][8][19]x̄ ~ N(μ, σ/√n), control limits ±3σ/√n; zone rules (2 of 3 beyond 2σ, 4 of 5 beyond 1σ, 8 on one side)[8][7][12]8 scanners × 6 wafer-starts/h · metrology −0.5 % capacity per sampled wafer/h · rollback: 2 h at half capacity + 4 wafer-equivalents reworked · drift 0.25 nm/h · crash repair 18 technician-hours · leak crew +2 people for 3 h · tools 150 kW busy / 60 kW idle, fans 150 kW at 100 %Pieņēmums: lielumi (MTBF, ģenerēšanas ātrumi, k, τ) ir ilustratīvas kalibrācijas, nevis dati no īstas fabrikas.DPW = π·d²/(4A) − π·d/√(2A), d = 300 mm[9]Nejaušība: sēklas mulberry32 ģenerators; izmantotie sadalījumi — vienmērīgais, eksponenciālais (apgrieztā CDF), normālais (Box–Muller), Puasona (Knuth). Sēkla tiek rādīta un to var kopīgot.
Izglītojošs modelis — nav paredzēts ekspluatācijas lēmumiem. Reālas vietas kalibrē katru konstanti pēc savas iekārtas un datiem.