સેમિકન્ડક્ટર ફેબ લાઇવ મોડેલ

તમે 300 mm વેફર ફેબની લિથોગ્રાફી ખંડ ચલાવો છો — આઠ સ્કેનર, એક ક્લીનરૂમ અને એક રેસિપી જે સ્પેકની અંદર રહેવી જોઈએ. વેફર કતારમાં લાગે છે, ટૂલ બગડે છે, કણો અંદર આવે છે અને દરેક નિર્ણય સાથે યીલ્ડ બદલાય છે.

તમે શું શીખશો

સિમ્યુલેટર

સમય 0 h
ટૂલ ઉપલબ્ધતા 100% · કાર્ય-પ્રગતિ (WIP) 20 · ક્લીનરૂમ ISO વર્ગ 3.4S1⚙S2▶S3▶S4▶S5▶S6▶S7‖S8‖WIP 20▶ 34 wph
  • ઉત્પાદક
  • સ્ટેન્ડબાય
  • એન્જિનિયરિંગ
  • ડાઉન (રિપેર)
  • હવામાંના કણો

કંટ્રોલ

કલાકે લિથોગ્રાફી ખંડમાં છોડાયેલા વેફર.

પ્રક્રિયા શીખવતા પ્રાયોગિક વેફર લોટને અપાતો સ્કેનર સમયનો હિસ્સો: હમણાં ઓછું ઉત્પાદન, પછી ઓછી ખામીઓ.

દરેક ટેકનિશિયન એક સમયે એક ટૂલ રિપેર કરે છે.

વધુ હવા બદલાવ કણોને પાતળા કરે છે; પંખાનો પાવર ઝડપના ઘન સાથે વધે છે.

ગાઉન પહેરેલ દરેક વ્યક્તિ પણ કણો છોડે છે.

કલાકે માપેલા વેફર: તીક્ષ્ણ SPC ચાર્ટ, ક્ષમતા થોડી ઓછી.

3 h લાગે છે અને તેઓ કામ કરે ત્યારે રૂમમાં 2 લોકો ઉમેરાય છે.

અડધી ક્ષમતાએ 2 h, પછી પ્રક્રિયા લક્ષ્ય પર પાછી આવે છે.

સૂચકો

નીકળેલા સારા ડાય
19547/h
યીલ્ડ
89.8%
સામાન્ય
ક્લીનરૂમ ISO વર્ગ
3.4
સામાન્ય
ખંડ સાયકલ ટાઇમ
1.6h
સામાન્ય
ટૂલ ઉપલબ્ધતા100 %
ટૂલ ઉપયોગ71 %
એન્જિનિયરિંગ સમય10 %
રિલીઝ થયેલા વેફર સ્ટાર્ટ34 wph
કાર્ય-પ્રગતિ (WIP)20 wafers
ખામી ઘનતા0.110 /cm²
પ્રક્રિયા ક્ષમતા Cpk1.25 · ચેતવણી
સ્પેક બહાર (વેફર-સમકક્ષ)0.0 wph
ખંડ પાવર1339 kW

ટ્રેન્ડ

નીકળેલા સારા ડાય: — /h250000

SPC નમૂનો (CD ઓફસેટ)

SPC નમૂનો (CD ઓફસેટ): 0 ⚑+3σ−3σ

કટોકટી દૃશ્યો

સ્તર 1 · કણ એક્સર્શન

મોબાઇલ-ચિપ લાઇન પર સામાન્ય શિફ્ટ. ખંડની ઉપર ક્યાંક સીલિંગ ફિલ્ટર ખરાબ થવાનું છે. ક્લીનરૂમને વર્ગમાં રાખો, યીલ્ડ બચાવો — અને પંખાને જરૂર કરતાં વધુ સમય પૂરી ઝડપે ન રાખો.

  • અંતે ISO વર્ગ પાછો ≤ 3.6
  • પ્રથમ કલાક પછી ક્યારેય વર્ગ 4.55 થી ઉપર નહીં
  • એક્સર્શનના પ્રથમ કલાકોમાં સરેરાશ યીલ્ડ ≥ 87 %
  • બીજા અડધા ભાગમાં સરેરાશ ખંડ પાવર ≤ 1,380 kW

સ્તર 2 · સ્કેનર ક્રેશ

લિથોગ્રાફી ખંડ કલાકે 38 વેફર સ્ટાર્ટ પર ગરમ ચાલે છે. ત્રણ સ્કેનર એકસાથે બંધ થવાના છે. તેમને પાછા લાવતી વખતે કતારને ફાટી નીકળતી અટકાવો, અને છતાં સારા ડાય મોકલો.

  • અંતે WIP ≤ 60 વેફર
  • ક્રેશ પછી સાયકલ ટાઇમ ક્યારેય 3.5 h થી ઉપર નહીં (ક્યૂ-ટાઇમ વિન્ડો)
  • 48 h માં ઓછામાં ઓછા 900,000 સારા ડાય
  • 48 h માં ઓછામાં ઓછા 1,600 વેફર સ્ટાર્ટ રિલીઝ કરો (સ્ટાર્ટ યોજના: પ્રતિ કલાક 34)

સ્તર 3 · રેસિપી ડ્રિફ્ટ

ગઈ રાત્રે નવી રેસિપી આવૃત્તિ લાઇવ થઈ. હજી કોઈને ખબર નથી કે તે ધીમે ધીમે ક્રિટિકલ ડાયમેન્શન ખસેડે છે. SPC ચાર્ટ જુઓ: વેફર સ્પેકની બહાર જાય તે પહેલાં ડ્રિફ્ટ પકડો અને રોલ બેક કરો.

  • કુલ વધુમાં વધુ 12 સ્પેક-બહારના વેફર-સમકક્ષ
  • અંતે Cpk ≥ 1.2
  • ઓછામાં ઓછા 620,000 સારા ડાય

સ્તર 2 · નવા ઉત્પાદનનો રેમ્પ

મોટી એક્સેલરેટર ચિપ અપરિપક્વ પ્રક્રિયા સાથે ઉત્પાદનમાં આવે છે: ખામી ઘનતા ઊંચી છે અને 600 mm² નો ડાય ક્ષમા આપતો નથી. લાઇન કલાકે 42 વેફર સ્ટાર્ટ પર લોડ છે. તમારી પાસે 14 દિવસ છે. આજના ઉત્પાદન અને આવતીકાલના શીખવા વચ્ચે સંતુલન રાખો.

  • દિવસ 14 પર ખામી ઘનતા ≤ 0.08 /cm²
  • 14 દિવસમાં ઓછામાં ઓછા 660,000 સારા ડાય

આધાર — આંકડા પાછળનું મોડેલ

સિમ્યુલેટર દ્વારા વપરાતો દરેક સંબંધ, તેના સ્રોત સાથે. ધારણા તરીકે ચિહ્નિત અચળાંકો ઉદાહરણરૂપ કેલિબ્રેશન છે.

સાધનોની સ્થિતિઓ SEMI E10 ને અનુસરે છે: ઉત્પાદક, સ્ટેન્ડબાય, એન્જિનિયરિંગ, નિર્ધારિત અને અનિર્ધારિત ડાઉન.
Availability = up tools / 8 · Utilization = productive tool-hours / total[1]
ટૂલ ઘાતાંકીય નિષ્ફળતા-સમય સાથે અનિયમિત રીતે નિષ્ફળ જાય છે; રિપેર ખાલી ટેકનિશિયનની રાહ જુએ છે.
P(fail in Δt) = 1 − e^(−Δt/MTBF), MTBF = 250 h; repair ~ Exp(mean 6 h) once a technician is free[17][1]ધારણા: પરિમાણો (MTBF, ઉત્પાદન દર, k, τ) ઉદાહરણરૂપ કેલિબ્રેશન છે, વાસ્તવિક ફેબનો ડેટા નથી.
લિટલનો નિયમ કાર્ય-પ્રગતિ (WIP), થ્રુપુટ અને સાયકલ ટાઇમને જોડે છે.
CT = WIP / TH = T0 + queue / TH, T0 = 1 h[6][5]
સ્થિર લાઇનમાં થ્રુપુટ રિલીઝ દર બરાબર હોય છે, તેથી જે વેફર સ્ટાર્ટ રિલીઝ ન થયો તે એવો વેફર છે જે ક્યારેય બહાર નથી આવતો. પગલાં વચ્ચે બહુ લાંબો સમય રાહ જોતા વેફર ક્યૂ-ટાઇમ વિન્ડો તોડે છે.
TH = release rate while u < 1 ⇒ wafers out ≈ Σ starts; queue wait = CT − T0 = queue / TH ≤ queue-time window (3.5 h CT in semi-tool-crash)[5][16]ધારણા: 3.5 h ની સાયકલ-ટાઇમ મર્યાદા ક્યૂ-ટાઇમ વિન્ડોની જગ્યાએ છે; વાસ્તવિક વિન્ડો પ્રોસેસ એન્જિનિયરિંગ દરેક પગલા માટે નક્કી કરે છે, અને તેને તોડનારા વેફર સામાન્ય રીતે સ્ક્રેપ થાય છે.
કિંગમેનનું અનુમાન: કતારનો સમય u/(1−u) ની જેમ વધે છે — ઉપયોગ 100 % ની નજીક પહોંચતાં તે ફાટી નીકળે છે.
CTq ≈ ((ca² + ce²)/2) · (u/(1−u)) · te[5]સમજ માટે બતાવ્યું: સિમ્યુલેટરની કતાર આ સૂત્રમાંથી નહીં, પણ અનિયમિત આગમન અને અનિયમિત ક્ષમતામાંથી ઉદ્ભવે છે.
D કદના કણો માટે ISO 14644-1 વર્ગ મર્યાદા; 0.1 µm પર વર્ગ એ સાંદ્રતાનો લઘુગણક છે.
Cn = 10^N · (0.1/D)^2.08 ⇒ N = log10(C≥0.1µm)[2]
સારી રીતે ભળેલો રૂમ: સાંદ્રતા = ઉત્પાદન ÷ (હવા બદલાવ × કદ × ફિલ્ટર કાર્યક્ષમતા).
C = G / (ACH · V · η)[13][11]ધારણા: પરિમાણો (MTBF, ઉત્પાદન દર, k, τ) ઉદાહરણરૂપ કેલિબ્રેશન છે, વાસ્તવિક ફેબનો ડેટા નથી.
પંખા એફિનિટી નિયમ: પાવર પંખાની ઝડપના ઘન સાથે વધે છે.
P_fan = P_max · (speed)³[10]
નેગેટિવ-બાઇનોમિયલ યીલ્ડ: ખામીઓ ગુચ્છામાં આવે છે, તેથી યીલ્ડ પોઇસન મોડેલની આગાહી કરતાં ધીમે ઘટે છે.
Y = (1 + A·D/α)^(−α), α = 2 (α→∞: Y = e^(−A·D))[3][4][15][14]
યીલ્ડ લર્નિંગ: એન્જિનિયરિંગ સમય ખર્ચાતાં ખામી ઘનતા પરિપક્વ સ્તર તરફ ઘટે છે.
D(t+Δt) = D∞ + (D − D∞)·e^(−Δt/τ), τ = 120 h · (0.10 / engineering share)[15][18]ધારણા: ઉદ્યોગના નોંધાયેલા લર્નિંગ દર (મહિને 4–6.5 %, Leachman) ની તુલનામાં τ લગભગ 100× સમય-સંકુચિત છે જેથી 14 દિવસનું દૃશ્ય અસર બતાવે.
વેફર પર પડતા કણો હવાની સાંદ્રતાના પ્રમાણમાં ઘાતક ખામીઓ ઉમેરે છે.
D_total = D_learn + k · C, k = 4·10⁻⁶ cm⁻² per particle/m³ધારણા: ઉદાહરણરૂપ અચળાંક — વાસ્તવિક ફેબ પોતાના નિરીક્ષણ ડેટા પરથી ઘાતક-ખામી દર કેલિબ્રેટ કરે છે.
પેરામેટ્રિક યીલ્ડ: સામાન્ય પ્રક્રિયાનો તે અંશ જે સ્પેક મર્યાદાની અંદર આવે છે; Cpk માર્જિન માપે છે.
Y_param = Φ((USL−μ)/σ) − Φ((LSL−μ)/σ), Cpk = min(USL−μ, μ−LSL)/(3σ)[7][8][19]
SPC: n નમૂનાની સરેરાશ, ±3σ/√n નિયંત્રણ મર્યાદા અને ઝોન નિયમો સાથે.
x̄ ~ N(μ, σ/√n), control limits ±3σ/√n; zone rules (2 of 3 beyond 2σ, 4 of 5 beyond 1σ, 8 on one side)[8][7][12]
મોડેલ દ્વારા વપરાતા અન્ય સંચાલન અચળાંકો.
8 scanners × 6 wafer-starts/h · metrology −0.5 % capacity per sampled wafer/h · rollback: 2 h at half capacity + 4 wafer-equivalents reworked · drift 0.25 nm/h · crash repair 18 technician-hours · leak crew +2 people for 3 h · tools 150 kW busy / 60 kW idle, fans 150 kW at 100 %ધારણા: પરિમાણો (MTBF, ઉત્પાદન દર, k, τ) ઉદાહરણરૂપ કેલિબ્રેશન છે, વાસ્તવિક ફેબનો ડેટા નથી.
ક્ષેત્રફળ A ના ડાય માટે 300 mm વેફર દીઠ કુલ ડાય.
DPW = π·d²/(4A) − π·d/√(2A), d = 300 mm[9]

અનિયમિતતા: સીડવાળું mulberry32 જનરેટર; વપરાયેલા વિતરણ — સમાન, ઘાતાંકીય (ઇન્વર્સ CDF), સામાન્ય (Box–Muller), પોઇસન (Knuth). સીડ દર્શાવાય છે અને શેર કરી શકાય છે.

સ્રોતો

  1. SEMI E10 — Specification for Definition and Measurement of Equipment Reliability, Availability, and Maintainability (RAM) and Utilization — SEMI
  2. ISO 14644-1:2015 Cleanrooms and associated controlled environments — Part 1: Classification of air cleanliness by particle concentration — ISO, 2015
  3. C. H. Stapper, F. M. Armstrong, K. Saji — Integrated circuit yield statistics — Proceedings of the IEEE 71(4), 1983
  4. J. A. Cunningham — The use and evaluation of yield models in integrated circuit manufacturing — IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing 3(2), 1990
  5. W. J. Hopp, M. L. Spearman — Factory Physics (3rd ed.), ch. 7–8: Little’s law, Kingman (VUT) equation — Waveland Press, 2008
  6. J. D. C. Little — A Proof for the Queuing Formula L = λW — Operations Research 9(3), 1961
  7. D. C. Montgomery — Introduction to Statistical Quality Control (x̄ charts, process capability Cpk) — Wiley, 2019
  8. NIST/SEMATECH e-Handbook of Statistical Methods — 6.3 Univariate and Multivariate Control Charts; 6.1.6 Process capability — NIST
  9. Dies-per-wafer estimate DPW = πd²/(4S) − πd/√(2S) (de Vries, “Investigation of gross die per wafer formulas”, IEEE TSM 18(1)) — IEEE, 2005
  10. Fan affinity laws: flow ∝ speed, pressure ∝ speed², power ∝ speed³ — U.S. DOE — Improving Fan System Performance: A Sourcebook for Industry
  11. EN 1822-1:2019 High efficiency air filters (EPA, HEPA and ULPA) — classification (U15 ≥ 99.9995 % at MPPS) — CEN, 2019
  12. Western Electric Statistical Quality Control Handbook (1956) — zone rules for control charts — Western Electric / NIST e-Handbook 6.3.2
  13. W. Whyte — Cleanroom Technology: Fundamentals of Design, Testing and Operation (2nd ed.), ch. on dispersion of particles from people; well-mixed room dilution equation — Wiley, 2010
  14. Yu. I. Bogdanov, N. A. Bogdanova, V. L. Dshkhunyan — Statistical Yield Modeling for IC Manufacture: Hierarchical Fault Distributions (§2 Compound Poisson distribution, after Eq. (17), p. 4 of the arXiv PDF — large-area clustering negative binomial model: the cluster parameter’s “typical values approximately range from 0.3 to 7”) — arXiv physics/0303039, 2003
  15. R. C. Leachman — Yield Modeling and Analysis (Poisson, Murphy, Seeds, negative-binomial models; §8: SMLY survey with C. N. Berglund for International SEMATECH, 2002–03 — yield loss fitted as YL(t) = YL(0)·e^(−λt), Table 2 averages 4.4 / 4.0 / 6.5 %/month at 350 / 250 / 180 nm) — UC Berkeley, IEOR 130 course notes (unpublished), 2014
  16. A. Klemmt, L. Mönch — Scheduling jobs with time constraints between consecutive process steps in semiconductor manufacturing (time windows set by process engineering against native oxidation and contamination; jobs that violate them are scrapped) — Proceedings of the 2012 Winter Simulation Conference, 2012
  17. NIST/SEMATECH e-Handbook of Statistical Methods — 8.1.6.1 Exponential distribution (constant failure rate) — NIST
  18. C. Weber — Yield learning and the sources of profitability in semiconductor manufacturing and process development — IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing 17(4), 2004
  19. M. Abramowitz, I. Stegun — Handbook of Mathematical Functions, 26.2.17 — NBS, 1964

આ કામ આજીવિકા તરીકે કોણ કરે છે

શૈક્ષણિક મોડેલ — ઓપરેશનલ નિર્ણયો માટે નહીં. વાસ્તવિક સાઇટ દરેક અચળાંકને પોતાના સાધનો અને ડેટા મુજબ કેલિબ્રેટ કરે છે.